国家知识产权局信息显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司申请一项名为=“一种集成薄膜电阻及其制备方法◆=△”的专利◁■，公开号CN121419554A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种集成薄膜电阻及其制备方法，制备方法包括以下步骤•▽◇：S1、对前层工艺中的金属间电介质平坦化后形成氧化层▷；S2、在氧化层上方进行第一次SiON沉积后形成隔绝层▲▪；S3-○、在隔绝层上方依次进行铬硅和TiN沉积•▽，分别形成铬硅层和窗口层后回火；S4、在窗口层上方进行第二次SiON沉积；S5、对铬硅薄膜电阻进行宽定义、长定义☆▲▼、集成电路接触孔定义和集成电路引线定义，得到铬硅薄膜电阻○▲。本发明在现有制作方法的基础上对薄膜电阻进行改善…◇，通过该反应制程生成的集成薄膜电阻可以精确控制电阻值•▪▽，并且相较于扩散电阻和注入电阻具有更低温度系数。

　　天眼查资料显示，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司▲★◁，成立于2001年，位于苏州市-■◁，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本314524•◆▷.57万人民币。通过天眼查大数据分析，和舰芯片制造（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业…=▪，参与招投标项目20次，财产线条，此外企业还拥有行政许可29个。

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